안녕하세요. 반도체 장비회사에 근무하고 있는 직장인 입니다.


다름아니고 플라즈마에 대해 공부하다보니 교수님이 저자로 들어가 있는 논문을 보게 되었는데요.


제목에서와 같이 좁은 간격 CCP에서 플라즈마 분포에 관한 논문 이었습니다. 

(논문 제목 : 좁은 간격 CCP 전원의 전극과 측면 벽 사이 플라즈마 분포)


본문에서 Fig6 에 대한 해석을 보면 확산 영역에서 전달된 전력은 방전 영역에서의 전달 전력의 10%밖에 되지 않는데, 그럼에도 불구하고 확산영역의 플라즈마 밀도가 방전영역의 플라즈마 밀도보다 높게 나타났다고 되어 있습니다.


하지만 Fig2의 그래프를 보면 확산영역의 플라즈마 밀도는 증가했다가 감소하는 구간은 있어도 방전영역보다는 작았습니다. 물론 Fig2는 실제 실험 결과이고 Fig6은 전산모사를 통해 해석한 결과이기는 하나 그에 따른 차이라고 하기엔 너무 오차가 커 보여서 질문 드립니다.


그리고 플라즈마의 정 가운데가 전자 밀도 즉 플라즈마 밀도가 가장 높기 때문에 기체의 여기반응이나 이온화 반응 역시 중심부에서 가장 자주 일어날 것 같은데, 전극의 가장자리부분에서 더 많이 일어나는 원인이 무엇인지 잘 모르겠습니다.


항상 많은 도움 얻어갑니다. 감사합니다!

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] 77210
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20465
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57362
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68901
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92946
165 Surface wave plasma 조건에 관해 질문드립니다. 9
164 Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [1] 22
163 CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [1] 40
162 DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] 54
161 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 102
160 RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] 118
159 Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. 119
158 Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] 122
157 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] 143
156 Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] 154
155 ICP에서 전자의 가속 [1] 189
154 CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] file 202
153 CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] file 221
152 skin depth에 대한 이해 [1] 226
151 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] 248
150 ICP에서의 Self bias 효과 [1] 257
149 대기압 플라즈마 문의드립니다 [1] 273
148 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [1] 351
147 ICP 방식에서 RF Foward Power를 상향하면 ER이 빨라지는 이유 [1] 393
146 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 443

Boards


XE Login