안녕하세요. 반도체 회사에서 근무하는 엔지니어 입니다.

최근에 plasma system에 대하여 연구하고 있는데, 비전공자로서는 이해가 다소 어려운 부분이 있어 도움 요청드리고자 합니다.

현상은 ICP plasma system에서 평소에는 O2를 flow하면서 plasma를 ignition합니다.

하지만, gas line purge 등과 같은 이유로 Ar을 flow하게 되면 plasma가 죽어버립니다. 이를 단순하게 해결하기 위해서 O2의 flow만 2배로 늘려주면 다시 ignition되어 사용이 가능하지만, 그 원인을 알고싶습니다.

(Ar이 flow되는 순간에도 plasma는 죽으면 안됩니다.)

제가 짧게 이해한 바로는 plasma가 ignition되는 condition이 다르고, 현재 되어 있는 값은 O2를 ignition하는 조건이므로, Ar이 유입됨에 따라 O2의 농도가 감소하여 플라즈마 형성이 되지 않았고, O2의 유량을 늘려 단위면적당 O2의 농도를 높여줌으로써 단편적으로 해결된 것으로 보입니다.

제가 이해하고 있는 부분이 맞는지와 O2 유량 증가 말고 개선할 수 있는 아이디어가 있으시면 답변으로 부탁드리겠습니다.

감사합니다.