CCP CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다.
2018.04.05 20:01
안녕하세요. CVD쪽에서 일하고 있는 신입사원입니다.
너무 궁금한게 있는데 CCP에서 파워가 증가 -> 전극의 전압증가 ->챔버내 전기장 증가 -> 챔버내 전자 가속
-> 전자밀도증가(2차전자 생성하므로) -> 플라즈마밀도 증가(전자뿐만아니라 이온, 라디컬 등등 생성되므로 )
-> 임피던스 감소
여기서 플라즈마밀도 증가시 왜 임피던스가 감소되는지 모르겠습니다.
그냥 단순하게 플라즈마 밀도 증가하면 전류가 잘통해서 임피던스가 감소한다고 생각해왔는데 다시생각하니 플라즈마 내부는
플라즈마밀도 증가시 전류가 더 잘흐른다고 보기보다는
플라즈마밀도 증가시 분극이 더 잘되므로 임피던스가 낮아진다 고 봤는데
저희 선배님이 그건 아니라고 하셨거든요. 아무리생각해봐도 이부분의 메카니즘이 어떻게 되는지 모르겠습니다.
댓글 3
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 77084 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20395 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57304 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68847 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92857 |
82 | 가입인사드립니다. [1] | 1880 |
81 | 유도결합 플라즈마 소스 질문!!!? [2] | 1911 |
80 | RF generator 관련 문의드립니다 [3] | 1954 |
79 | Remote Plasma 가 가능한 이온 [1] | 1983 |
78 | 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] | 1987 |
77 | RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] | 2042 |
76 | ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] | 2274 |
75 | CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] | 2317 |
74 | 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] | 2354 |
73 | RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] | 2374 |
72 | Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] | 2385 |
71 | RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] | 2410 |
70 | 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] | 2501 |
69 | 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] | 2672 |
68 | 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] | 2699 |
67 | 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] | 2955 |
66 | PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] | 3339 |
65 | RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] | 3451 |
64 | CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [3] | 3581 |
63 | CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] | 3812 |