Remote Plasma Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다.

2024.05.12 18:09

SemiSem 조회 수:372

안녕하세요, 반도체 장비사에서 근무중입니다.

 

한가지 의문이 생겨 질문을 드립니다.

 

RPSC를 이용하여 SiO의 선택적 식각에 대한 질문입니다.

 

http://pal.snu.ac.kr/index.php?mid=board_qna_new&document_srl=62374

 

상기 내용을 보면, NH3,NF3의 gas가 해리 결합되어 F,NH4F 등의 Gas를 만들고 이 Gas들이 기판에 증착이 되는데

SiO의 바인딩 에너지가 111kcal mol, sif의 바인딩 에너지가 136kcal mol이기에 SiO와의 결합을 끊고, NH4)2SiF6의 필름을 형성, 100도씨에서 승화된다고 공부하였습니다.

 

여기서 제가 궁금한것은, Si도 F에 의해 Etching이 되기도 하고, Si Wafer의 결합에너지도 SiF보다 낮을텐데,  어떻게 SiO만 선택적으로 깎아내는것인지 궁금합니다. 

Si도 물론 깎여나가긴 하겠지만, SiO가 상대적으로 필름 형성이 더 잘되서 많이 깎여나가는 것인가요?

 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [327] 98072
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 23838
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 60517
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 72383
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 103016
172 RF BIAS REDLECT POWER HUNTING 문제 [1] 114
171 CCP 장비 하부 전극 dc 펄스 전력 [1] 252
170 동일한 RF방전챔버에서 화학종별 이온화율에 대한 질문 [1] 167
169 liquid plasma 공부 방향에 대해서 알고싶습니다. [1] 352
168 챔버의 Plasma density 확인방법 문의드립니다. [플라즈마 모니터링, OES, LP] [1] 653
167 ICP에서 biasing 질문 [RF sheath와 self bias] [1] 548
166 micro arc에 대해 질문드립니다. [DC glow 방전과 breakdown 전기장] [1] 510
165 Surface wave plasma 조건에 관해 질문드립니다. [표면파의 전파] [1] 236
164 CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [Ar plasma chemical etching] [1] 493
163 Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [식각 플라즈마의 가장자리 균일도 제어] [1] 283
» Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. 372
161 Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [Pachen's law 이해] [1] 407
160 DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [DBD 방전과 DC breakdown] [1] 360
159 RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [Lorentz force와 ExB drift 이해] [1] 428
158 skin depth에 대한 이해 [Stochastic heating 이해] [1] 660
157 Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [Impedance matching 이해] [1] 417
156 반사파에 의한 micro arc 질문 [VHF 전력 인가] [2] 339
155 ICP에서의 Self bias 효과 [DC offset voltage와 floating potential] [1] 715
154 CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [식각 교재 참고] [1] file 580
153 ICP에서 전자의 가속 [Plasma breakdown 이해] [1] 406
쓰기
태그

Boards

XE Login