Sheath 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다.
2018.02.01 14:20
늦었지만 친절한 답변 감사드립니다.
한가지 더 문제되는 것이 있는데요, 최근 고객사 설비에서 PM 초기의 RF VDC 값이 높은 것 때문에 공정 불량이 발생하고 있습니다.
VDC 값은 양 극 사이(여기서는 STG HEATER 와 SHOWERHEAD 가 되겠지요)의 DC BIAS 크기와 관련이 있고 이것은
CH 의 CAP 값에 반비례하는 것으로 알고 있는데요(틀렸다면 지적 부탁드립니다).... 그렇다면 cap 값이 커질수록 vdc 값이 작아지므로 결국 유전율이 커질수록, 전극 사이 거리가 짧아질수록 vdc 값은 작아진다... 이렇게 결론을 내릴 수 있을 것 같습니다.
그런데 여기서 전극 사이의 거리는 막질이 아무리 쌓인다 한들 수 micro 수준이므로 의미가 없다고 보면 vdc 값을 줄일 수 있는 방법은 ㅗheater 와 showerhead 사이의 유전율을 크게 하는 것 밖에 없다고 생각이 듭니다.
여기서 문의드립니다.
1) 위에 제가 쓴 내용이 맞는지요? 유전율이 커질수록, 전극 사이 거리가 짧아질수록 vdc 값이 작아지는 건가요?
2) 유전율을 크게 할 수 있는 방법에는 어떤 것들이 있을까요? 플라즈마 gas 의 양, 압력 등등 precoating 조건을 바꿔서 유전율을 크게 할 수 있을까요?
3) 그 외 vdc 값에 영향을 주는 변수들은 어떤 것들이 있을까요?
다시 한 번 자세한 답변 부탁드립니다. 감사합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] | 77138 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20425 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57335 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68873 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92897 |
35 | KM 모델의 해석에 관한 질문 [1] | 453 |
34 | Sheath와 Plasma Bulk에 걸리는 전압 관련 문의 [1] | 522 |
33 | 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] | 554 |
32 | 프리쉬스에 관한 질문입니다. [1] | 603 |
31 | 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] | 693 |
30 | 교수님 질문이 있습니다. [1] | 770 |
29 | RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교 [1] | 908 |
» | 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] | 1007 |
27 | wafer bias [1] | 1150 |
26 | MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] | 1159 |
25 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1168 |
24 | 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] | 1944 |
23 | LF Power에의한 Ion Bombardment [2] | 2117 |
22 | 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] | 2255 |
21 | PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] | 2814 |
20 | CVD 공정에서의 self bias [1] | 3190 |
19 | plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] | 3464 |
18 | Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] | 4865 |
17 | Sheath와 Darkspace에 대한 질문입니다. [1] | 8936 |
16 | RF & DC sputtering에 대해 질문드립니다. [1] | 9018 |