Sheath 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의
2017.05.17 14:41
안녕하세요. 저는 플라즈마 공정 관련 일을 하고 있습니다. 플라즈마 공정으로 인한 substrate의 charing문제로
두 가지 질문이 있어 글을 게시하게 되었습니다.
첫째는
O2만 넣고 플라즈마 했을 때 / H2만 넣고 플라즈마 처리를 했을 때
대상 substrate의 대전된 양의 정도가 H2만 넣었을 때가 더 심한 것으로 보입니다.(검증은 하지 못했음)
그래서 플라즈마 공정 中 측정되는 Vdc 값에 주목을 하였는데, H2만 넣었을 때 MFC에서 공급 된 유량도 더 적게하고
RF power도 더 적게해도 Vdc값이 O2 only보다 굉장히 높게 뜹니다. 제가 알기로는 Vdc값은 기판에서 형성 된 전위에 의해
측정되는 값으로 알고 있습니다. 여기서 O2 only plasma보다 H2 only plasma의 Vdc값이 현저히 높다는 것은
기판에 대전 된 전하의 양이 더 많다고 생각할 수 있을지에 대하여 문의드리려고 합니다.
둘째는
플라즈마 공정이 끝나고 substrate의 charing정도를 측정하는 기술과 설비들이 있는지가 궁금합니다.
관련내용에 대해 조언 부탁드립니다. 감사합니다 김곤호 교수님.
-플라즈마종사자 드림-
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] | 77214 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20467 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57362 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68901 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92946 |
15 | Ion Energy와 RF matchin관련 질문입니다. [1] | 9539 |
14 | DC bias (Self bias) [3] | 11352 |
13 | [기초]CCP Type에서의 Self-Bias(-Vdc) + Vp (plasma potential) 관련 질문입니다. [1] | 12788 |
12 | ICP에 대하여 | 18210 |
11 | self bias [1] | 19516 |
10 | 이온주입량에 대한 문의 | 20748 |
9 | RF plasma에 대해서 질문드립니다. [2] | 21004 |
8 | CCP 에서 Area effect(면적) ? | 21434 |
7 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22862 |
6 | 플라즈마 쉬스 | 23990 |
5 | plasma and sheath, 플라즈마 크기 | 24004 |
4 | self Bias voltage | 24135 |
3 | self bias (rf 전압 강하) | 26782 |
2 | sheath와 debye shielding에 관하여 | 27928 |
1 | Self Bias | 36403 |