안녕하십니까 교수님 항상 성심성의것 답변해 주신것 감사합니다.

 

저는 CCP plasma를 다루는 반도체 장비 회사를 다니고 있는 엔지니어 입니다.

 

다름이 아니라 여러가지 조건으로 Split test를 하는 와중에 샤워헤드와 척 사이의 갭을 늘렸더니 

 

플라즈마가 켜졌을 때 Matcher의 Vrms가 초반 몇 초 동안 급격히 상승하는 현상이 발생했습니다.

 

운이 없었다면 아킹이 발생하고 웨이퍼가 깨졌을 수도 있었던 상황이라 생각합니다.

 

 

이런 상황에서 pressure를 낮췄을 때는 Gap을 늘려도 상대적으로 안정해지는 경향이 파악 되었습니다.

 

왜 Gap이 커지면 불안정해지고, 여기서 Pressure를 낮추면 Gap이 커져도 상대적으로 안정해 지는 걸까요??

 

감사합니다~!

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [314] 80567
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21559
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58361
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69968
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 95168
29 CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. 23331
28 CCP/ICP , E/H mode 23269
27 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) [ICP와 CCP의 heating] 23196
26 에쳐장비HF/LF 그라운드 관련 [1] 19870
25 RF를 이용하여 Crystal 세정장치 [RF 방전과 이온 에너지] [1] 18929
24 capacitively/inductively coupled plasma [Heating mechanism과 coolant] 17863
23 좁은 간격 CCP 전원의 플라즈마 분포 논문에 대해 궁금한 점이 있습니다. [전력 인가와 플라즈마 밀도] [2] 16765
22 CCP의 electrod 재질 혼동 [PECVD와 화학물 코팅] 16566
21 CCP에서 DIelectric(유전체)의 역활 [유전체 격벽 방전] [1] 7747
20 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다.[CCP와 Vdc, Vpp] [1] file 6233
19 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [Breakdown 전기장, 아크 방전] [3] 3764
» CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [Paschen's Law, P-d 방전 곡선] [1] 2462
17 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [Breakdown과 impedance] [3] 1715
16 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [DC bias 형성 판단] [1] 1684
15 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [ESC와 Chamber impedance] [1] 1520
14 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [Self bias와 dummy 공정] [1] 1186
13 CCP Plasma 해석 관련 문의 [Diffusion] [1] file 1164
12 anode sheath 질문드립니다. [Sheath 형성 메커니즘] [1] 1151
11 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [Self bias] [1] 1134
10 RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [TC gauge 동작 원리] [1] 979

Boards


XE Login