안녕하세요

반도체 설비 제조 업체 연구소에 근무 하는 하태경 이라고 합니다.

Plasma 진단 에 관련한 질문 있어 글을 씁니다.

저희 회사는 remote plasma를 사용하는 반도체 ashing 설비를 생산 하고 있습니다.

Plasma source는 ICP type 입니다. matcher에 VI sensor가 장착 되여 있습니다. matcher와 source 사이에 VI sensor가 위치합니다.

plasma source - baffle - process chamber 구조로 source에서 생성되는 radical의 down stream 으로 ashing를 진행 합니다.

chuck은 히팅외에는 다른 역할를 하지 않습니다.

여기서 질문은 VI sensor를 활용하여 어떠한 진단을 할 수 있는지가 궁금합니다.

현재 monitroing 해본 것으로는, end point를 보려 했지만 값이 변화하지 않습니다.. 케미스트리 변화에는 값이 변화 합니다.

VI sensor로 진단 가능한 부분이나 사례등이 있으시면 무엇이라도 좋습니다 답변 부탁 드립니다.

예로 PM 주기 monitoring 등도 좋은 아이템이 될것 같습니다.

감사합니다