Chamber component Bais 인가 Cable 위치 관련 문의

2020.09.18 08:27

Matthew 조회 수:554

안녕하세요. 문의드립니다.

Etch Chamber 에 Chuck 하부에 RF Bias Cable Feeding 을 위해 대부분의 장비들은 정 가운데로 Feeding 되는것으로

알고 있습니다. 정 가운데 말고 옆으로 5~10센치정도 벗어나 Feeding 을 하게 되면 Chamber 공정 진행에 영향을 주게 될런지?

문의를 드립니다.

답변 부탁드리겠습니다. 감사합니다.


이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] 77200
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20462
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57359
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68898
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92944
126 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [1] 47972
125 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 41292
124 Ground에 대하여 39514
123 Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) 35987
122 matching box에 관한 질문 [1] 29706
121 Arcing [1] 28680
120 esc란? 28112
119 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 27667
118 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] 27235
117 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] 26507
116 dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] 26243
115 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? 25595
114 Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] 24913
113 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] 24787
112 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] 24787
111 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 24649
110 HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 23350
109 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. 22957
108 Peak RF Voltage의 의미 22634
107 MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [3] 22586
쓰기
태그

Boards

XE Login