안녕하세요. 반도체 장비회사에 재직중인 직장인 입니다.

O2 plasma 관련 글을 검색하다가, O2 plasma 에는 음이온이 다수 존재하여 Matching 조건이 다른 Plasma 와 조금

다를 수 있다는 내용을 보았는데요..


현재 O2 Plasma 를 사용하는 Ashing 공정에서 ESC 를 인가하는 조건과 인가하지 않는 조건 간에 Matching trend 가 매우

다른 현상이 발견되고 있습니다. ESC 에 인가되는 + DC Power 와 음이온 발생 분위기와 어떠한 상관 관계가 있는지 궁금

합니다. 실제로 ESC 에 인가되는 +DC 전압이 Chamber 내부의 음이온 발생 정도와 관계가 있을 수 있는지요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] 77188
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20456
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57355
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68896
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92937
45 13.56MHz resonator 해석 관련 문의 [1] 1965
44 ESC Chuck Pit 현상관련 문의 드립니다. file 16973
43 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5867
42 정전척 isolation 문의 입니다. [1] 7669
41 ETCH 관련 RF MATCHING 중 REF 현상에 대한 질문입니다. [1] 7133
40 플라즈마 건식식각 장비 부품 정전척 공정 진행 후 외각 He-hole 부위 burning 현상 매카니즘 문의.. [1] 6508
39 ICP 구성에서 PLASMA IGNITION시 문의 [1] 9909
38 플라즈마에 하나도 모르는 완전초보입니다..도와주십시오ㅠㅠ [1] 10045
37 ICP 플라즈마 매칭 문의 [2] 21213
36 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] 24785
35 [질문] 석영 parts로인한 특성 이상 [1] 19848
34 HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 23350
» 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. 22955
32 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [1] 47967
31 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? 25593
30 Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] 24913
29 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 24646
28 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] 27234
27 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 41291
26 석영이 사용되는 이유? [1] 20056

Boards


XE Login