ESC HE LEAK 과 접촉저항사이 관계
2024.05.27 14:24
안녕하세요 교수님
우선 늘 감사드립니다.
본 게시판을 통해 배운 내용을 통해 개선에 큰 도움이 되었습니다.
이번에 질문드리고자 하는내용은 'HE LEAK 에 의해 접촉저항이 어떻게 변할지' 입니다.
ICP TYPE의 설비에서 HE LEAK이 발생하면 temp 상승이 일어나고, 항상 ESC current 가 상승하는 방향으로 변화합니다.(절댓값 상승 후 일정하게 유지) Chucking voltage 는 일정하게 유지되고 있으므로 Current 변화는 접촉저항과 관계가 있어 보이는데,
여기서 이해가 안가는 부분은 He leak 이 있다면 왜 접촉저항이 낮아지는지 물리적으로 이해가 되지 않습니다.
접촉면적이 늘어난다는 것 일텐데, chucking force 가 강해지는 것 일까요?
의견 여쭙습니다.
감사합니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] | 77240 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20468 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57362 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68903 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92951 |
» | HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] | 92 |
5 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 91 |
4 | ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [1] | 78 |
3 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 77 |
2 | 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] | 60 |
1 | CCP Chamber 사용 중 Impedance 변화 원인 문의드립니다. [1] | 28 |
He leak 영역에서 He 방전이 일어나고 있는 것은 아닌지요? 전압이 걸린 상태라면 국부 방전이 일어날 가능성이 있고 전류로 측정될 수도 있습니다. 또는 helium leak는 chucking force 가 변하고, plasma current의 일부가 관찰되고 있다는 결과일 수도 있을 터이니, chucking 상태의 확인도 필요해 보입니다. 가능성에 대한 말씀을 드린 것이니 참고 만 하시기 바랍니다.