Deposition [CVD] 막 증착 관련 질문입니다.
2019.01.23 13:10
안녕하세요.
CVD공정쪽에서 일하고 있는 엔지니어 반형진입니다.
a-Si 증착 시 Vdc값이 증착된 막 내의 수소량에 어떻게
영향을 미치는지 알려주시면 정말 감사하겠습니다.
댓글 4
-
김곤호
2019.01.24 12:30
-
시비디
2019.01.24 12:55
감사합니다 큰 도움이 됐습니다.
-
시비디
2019.01.24 13:05
한 가지만 더 여쭙겠습니다.
시편의 온도가 올라가서 수소가 깊게 침투할 수 있다는 부분에서
온도가 상승하는 것과 어떤 상관있는지 조금 더 설명해주시면 안 될까요 ^^;;
그리고 혹시 수소가 깊게 침투한다는 걸
Vdc 값이 높아질수록 증착막 내의 수소량이 많아진다고 이해해도 될까요??
-
강성국
2019.01.24 13:50
안녕하세요. 삼성디스플레이 연구소 소속 강성국이라고 합니다.
본 답변 내용 중 조금 이해가 되지않는 부분이 있어, 댓글로 여쭙습니다.
" ...Vdc는 타킷 표면의 전위를 의미하며, 이는 쉬스 전위=플라즈마 전위-표면 전위, 이니 대부분 공정되어 있는 플라즈마전위를 기준으로 Vdc 가 커지면 (음의 값입니다) 쉬스 전위가 커지고..."
이 부분 중 Vdc가 커진다는 의미는 -값으로 더 내려간다는 의미인가요, 아니면 말 그대로 +방향으로 더 커진다는 것 인가요?
이전 답변 내용이 많은 도움이 되었습니다.
번거로우시겠지만 상기 내용에도 도움을 주시면, 매우 감사하겠습니다^^
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] | 77141 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20426 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57335 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68877 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92900 |
| 84 | doping type에 따른 ER 차이 [1] | 2083 |
| 83 | 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] | 2040 |
| 82 | 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] | 2032 |
| 81 | 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] | 2013 |
| 80 | PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] | 1943 |
| 79 | RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] | 1907 |
| 78 | wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] | 1827 |
| 77 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1773 |
| 76 | CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] | 1769 |
| 75 | Pecvd 장비 공정 질문 [1] | 1685 |
| 74 | PECVD 증착에서 etching 관계 [1] | 1539 |
| 73 | Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] | 1494 |
| 72 | Ar plasma power/time [1] | 1449 |
| 71 | Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] | 1446 |
| 70 |
poly식각을 위한 조언 부탁드립니다.
 | 1431 |
| 69 | 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] | 1428 |
| 68 | 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] | 1415 |
| 67 | Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] | 1400 |
| » | [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] | 1314 |
| 65 | Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] | 1260 |
아마도 수소의 침투는 2가지 경로를 가질 것 같습니다. 한가지는 확산에 의한 것이고, 다른 하나는 쉬스에서 가속된 수소 이온의 침투일 것 입니다. 전자는 중성의 수소의 거동이고 후자는 수소 이온이며, Vdc는 타킷 표면의 전위를 의미하며, 이는 쉬스 전위=플라즈마 전위-표면 전위, 이니 대부분 공정되어 있는 플라즈마전위를 기준으로 Vdc 가 커지면 (음의 값입니다) 쉬스 전위가 커지고, 이는 이온이 보다 큰 에너지를 갖고 침투하게 되거나. 표면에서 대기중인 수소 입자들에게 에너지를 더 전달할 수 있습니다. 물론 타킷(시편)의 온도도 올라가서, 보다 많은 수소가 깊게 침투할 수 있겠습니다. 게시판에서 쉬스에 대한 설명을 참고해 보시면 이해에 도움이 될 것 같습니다.