Etch Etch Plasma 관련 문의 건..
2024.02.13 10:49
안녕하세요,
반도체 장비 회사에 다니고 있는 엔지니어 입니다.
저희 etch 설비(ICP TYPE)가 아래와 같이 Power 및 주파수를 사용하고 있는데
현 상태에서 주파수만 위 아래 변경하면 어떤 효과가 있을지... 궁금하여 질문 드립니다..
답변해 주시면 감사하겠습니다..
현) RF 100W(2Mhz), Bias 150W(13.56MHz) -> 변경) RF 100W(13.56Mhz), Bias 150W(2MHz)
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이렇게 생각해 보세요.
플라즈마는 전자와 이온, 그리고 가스입자들로 구성되어 있습니다. 전자와 이온은 그 질량비가 수천배가 되므로 서로 다른 움직임을 하고 있습니다.
전원에서 전달되는 RF의 주파수가 높으면 당연히 가벼운 전자의 거동에 영향을 미치게 되고, 주파수가 낮으면 이온의 거동에 영향을 미칩니다. 전자의 거동은 플라즈마 밀도를 높이고, 이온의 거동은 이온에너지의 크기에 영향을 미칩니다.
(단, 여기서 좀 더 정밀한 주파수 효과를 보기위해서는 전자플라즈마 주파수 와 이온플라즈마 주파수와 비교합니다)
따라서 위의 조건에 따른 플라즈마 밀도와 조사 이온의 에너지 조절 능력은 매우 다른 특성을 가지므로, 공정 대상에 따라 적합한 장비 운전 조건이 선택됨을 이해할 수 있습니다.
관려한 주제어들은 본 게시판에서 찾아 공부해 보시기를 추천합니다.