Process 타겟 임피던스 값과 균일도 문제
2021.02.18 00:14
안녕하세요.
반도체 관련 업계에서 근무중인 직장인입니다.
타겟은 Al2O3 산화막으로 덮혀 있는 상태이고, 타겟에 걸리는 캐패시턴스 또는 임피던스가 달라
플라즈마 발생시 각각의 밀도 차이로 산화코팅막이 낮게 증착될 수 있는지요
답변 부탁드리겠습니다.
감사합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 77095 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20400 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57310 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68852 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92864 |
24 | wafer 전하 소거: 경험 있습니다. | 20487 |
23 | plasma cleanning에 관하여.... | 20839 |
22 | UBM 스퍼터링 장비로... [1] | 20920 |
21 | 스퍼터링시 시편두께와 박막두께 [1] | 21623 |
20 | 펄스바이어스 스퍼터링 답변 | 21960 |
19 | 플라즈마 코팅에 관하여 | 22102 |
18 | 질문있습니다 교수님 [1] | 22205 |
17 | Dry Etcher 에 대한 교재 [1] | 22557 |
16 | Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] | 22787 |
15 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23781 |
14 | Arcing | 23864 |
13 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24201 |
12 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] | 24684 |
11 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 24895 |
10 | OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] | 28979 |
9 | [Sputter Forward,Reflect Power] [1] | 29290 |
8 | PECVD에서 플라즈마 damage가 발생 조건 | 29786 |
7 | [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다. | 30100 |
6 | DC Bias Vs Self bias [5] | 31599 |
5 | RF Plasma(PECVD) 관련 질문드립니다. | 31692 |