안녕하세요?

플라즈마를 공부하고 있는 학생입니다. 질문이 있어서 이렇게 글을 남기게 되었습니다.

일반적으로 논문등을 살펴보게 되면 Ar fraction이 (예를들어 Ar(Cl2+Ar 혼합가스) 증가할 수록, Te(Electron Temperature)

값이 증가하는 경향이 나옵니다. (Ion Density 역시 증가합니다.)

실험을 하던 도중. Ar fraction이 증가할수록, Te값이 떨어지는 현상을 발견하였습니다.(하지만 Ion Density는 증가)

이를 어떻게 해석되어야 하는지 잘 모르겠습니다.

일반적으로라면 Ar이 이온화되면서 많은 gas reaction을 야기 하겠으나,

정형화된 data에 대하여 반대의 경향성이 나온 경우 어떻게 해석되어야 할까요?

 

추가적인 실험환경에 대한 설명을 덧붙여 드리자면,

(기존의 Chamber wall은 퀄츠 재질로 Ar fraction에 대하여 Te는 증가하였습니다. 하지만 Chamber를 Al 재질로 바꾼후

위와 같은현상이 발견되었습니다.)

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 77063
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20381
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57292
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68838
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92840
144 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 735
143 ICP 후 변색 질문 738
142 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] 738
141 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 745
140 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다 [2] 767
139 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 824
138 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 856
137 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] 886
136 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 903
135 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [1] file 906
134 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 1001
133 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1073
132 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1074
131 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1088
130 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1100
129 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1106
128 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 1128
127 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1140
126 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1146
125 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1150

Boards


XE Login