Etch SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유
2017.11.10 16:45
SiO2 를 RPSC를 이용하여 NF3로 Cleaning을 진행하는 일을 하고 있습니다.
NF3 단독으로 사용하는 것보다 O2를 혼합시 더 잘되는것으로 논문에서 보고 하고 있는데요,
그 원리 및 Mechanism이 궁금합니다.
학자님들의 고견 부탁 드립니다.
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] | 77164 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20445 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57345 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68885 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92919 |
| 124 |
O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의
 | 1180 |
| 123 | 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] | 1198 |
| 122 | Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] | 1198 |
| 121 | ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] | 1207 |
| 120 | Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] | 1260 |
| 119 | [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] | 1317 |
| 118 | Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] | 1400 |
| 117 | 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] | 1416 |
| 116 | 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] | 1428 |
| 115 |
poly식각을 위한 조언 부탁드립니다.
| 1432 |
| 114 | Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] | 1446 |
| 113 | Ar plasma power/time [1] | 1449 |
| 112 | Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] | 1500 |
| 111 | PECVD 증착에서 etching 관계 [1] | 1540 |
| 110 | Pecvd 장비 공정 질문 [1] | 1686 |
| 109 | CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] | 1770 |
| 108 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1773 |
| 107 | wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] | 1828 |
| 106 | RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] | 1909 |
| 105 | PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] | 1944 |