Etch Plasma etcher particle 원인

2018.01.10 18:14

베컴 조회 수:3053

안녕하십니까?


현업에 종사하고 있습니다.


다름이 아니오라, 에쳐에서 파티클문제가 해결이 되지않고 있는데....


그 원인이 궁금합니다.


제가 논문을 보고 추정하기로는


1.챔버내부 하드웨어에서 가스에의해 식각된 불순물이 발생

2.플라즈마 라디칼과 이온 충돌에 의한 하드웨어 불순물 발생, 1번과 거의 동일

3.가스중합반응시 화학적 결합을 반응을 통한 불순물 발생

4.플라즈마 방전 종료 및 시작 시 쉬스영역에 분포하여 갖혀있는 불순물이 방전중지 시 발생


위와같이 추정을 하고 있습니다.


이 문제를 해결하기 위해서, 내부하드웨어 물질 변경등의 방법을 시도하고 있습니다.


주요한 문제가 무었이라고 생각이 되시는지요? 교수님, 또한 이 문제를 해결하기 위해서 다양한 방법이 있겠지만,

최근의 학계분야에서 이슈가 되는 해결책이 있는지 궁금합니다.


바쁘시겠지만 답변 부탁드립니다. 또한 참고할만한 논문이 있다면, 부탁드리겠습니다.


많은 도움이 될거같습니다.


감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] 77213
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20465
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57362
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68901
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92946
» Plasma etcher particle 원인 [1] 3053
83 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 430
82 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 699
81 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 6008
80 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2349
79 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1147
78 ICP와 CCP의 차이 [3] 12582
77 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1919
76 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2699
75 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3614
74 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6467
73 Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [1] 8636
72 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6317
71 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 639
70 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1440
69 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5461
68 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6120
67 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 4023
66 Ar plasma power/time [1] 1455
65 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] 17632

Boards


XE Login