지금 모기업에서 인턴을 하면서 CVD파트에 대해서 공부를 하고있습니다.

PECVD를 과정에서 플라즈마의 균일도가 중요 하다고 합니다.

이때 어떠한 변수들이 플라즈마의 균일도에 영향을 주는지 궁급합니다.

 

이와더불어 N2플라즈마와 수소플라즈마의 차이점에 대해서 알고 싶습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76895
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20286
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57205
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68758
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92718
124 고온 플라즈마 관련 8090
» 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [1] 8055
122 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] 7706
121 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6701
120 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6570
119 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6501
118 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6442
117 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6281
116 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6099
115 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5927
114 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5478
113 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5384
112 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4319
111 플라즈마 색 관찰 [1] 4315
110 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4167
109 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3974
108 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3970
107 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3847
106 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3659
105 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3552

Boards


XE Login