Etch DRAM과 NAND에칭 공정의 차이
2018.08.06 11:06
안녕하십니까?
DRAM과 NAND에칭 공정의 차이가 궁금합니다.
공정에서 주입되는 가스의 종류와 전기적 즉 HF/LF VPP의 차이도 있는거 같습니다.
DRAM과 NAND의 소자구조와 기능은 알겠으나.....공정조건의 차이가 왜나는지가 궁금합니다.
막질이 다름으로 인해...사용되는가스가 다른건지요?
공정조건이 다른 가장 큰 이유가 궁금합니다.
확인부탁드립니다.
감사합니다. 수고십시오.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] | 76897 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20286 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57205 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68759 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92719 |
124 | O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 | 1175 |
123 | Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] | 1182 |
122 | 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] | 1195 |
121 | ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] | 1195 |
120 | Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] | 1255 |
119 | [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] | 1304 |
118 | 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] | 1389 |
117 | Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] | 1390 |
116 | 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] | 1416 |
115 | poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. | 1427 |
114 | Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] | 1442 |
113 | Ar plasma power/time [1] | 1447 |
112 | Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] | 1455 |
111 | PECVD 증착에서 etching 관계 [1] | 1527 |
110 | Pecvd 장비 공정 질문 [1] | 1677 |
109 | CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] | 1754 |
108 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1773 |
107 | wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] | 1813 |
106 | RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] | 1884 |
105 | PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] | 1906 |