Etch etching에 관한 질문입니다.

2018.08.14 14:59

juhyok 조회 수:2274

안녕하세요. 반도체취업을 준비하고있는 취준생입니다. 실험도중 궁금증이 생겨 질문드립니다.

가스의 유량을 달리하여 etch rate를 비교하기 위한 실험을 했습니다.


ethcant gas인 ch4는 고정시키고

Ar가스를 30sccm 그리고 60sccm 이렇게 두가지 실험을 하였습니다.


질문1. 60sccm이 더 깊게 에칭되는것을 기대하였는데 오히려 덜 에칭되었습니다. 이유가 무엇인가요?

질문2. Ar가스 유량을 늘리는것이 etch속도가 빨라지는것은 맞나요?

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76897
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20286
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57206
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68760
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92719
104 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1987
103 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 2025
102 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 2026
101 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2074
100 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2084
» etching에 관한 질문입니다. [1] 2274
98 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2300
97 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2333
96 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2343
95 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2346
94 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2361
93 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2362
92 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2505
91 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2591
90 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2672
89 PR wafer seasoning [1] 2707
88 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2822
87 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2889
86 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2916
85 Plasma etcher particle 원인 [1] 3013
쓰기
태그

Boards

XE Login