Etch 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [Materials processing]

2023.06.16 16:51

bokweng 조회 수:470

 

안녕하세요. RIE 모니터링 관련해서 졸업 프로젝트 진행중인 학부 4학년 정보경입니다.

 

 다름이 아니라 RIE 장비를 거친 후의 부산물 양을 알고 싶어서 여쭈어 봅니다.

주입가스는 CF4,O2(19sccm , 1 sccm)이며 식각될 물질은 SiO2입니다. 

 

4인치 웨이퍼에 증착된 1나노미터의 산화막이 모두 식각되었을 시 SiF4의 양을 계산할 수 있을까요?

 

SiO2+4F->SiF4 (g) +2O

 

전공에서 다루는 부분이 아니라 난항을 겪고 있는 중입니다. 

답변 주시면 감사하겠습니다.

 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [313] 80015
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21443
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58232
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69824
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 94854
193 플라즈마내에서의 아킹 [Charge와 plasma potential] 43801
192 ECR plasma 장비관련 질문입니다. [ECR과 enhanced process] [2] 35080
191 PEALD관련 질문 [Passivation 막 증착 과정] [1] 32759
190 RF에 대하여... 32335
189 RF Plasma(PECVD) 관련 질문드립니다. 31769
188 DC Bias Vs Self bias [전자 에너지 분포] [5] 31765
187 [Sputter Forward,Reflect Power] [Sputter와 matching] [1] 31334
186 [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다. file 30278
185 PECVD에서 플라즈마 demage가 발생 조건 [쉬스와 플라즈마 밀도에 의한 damage] 29905
184 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [Etching] [1] 29233
183 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 24998
182 H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점… [폭발과 pressure] [1] 24837
181 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24301
180 Arcing [아크의 종류와 발생 원인] 24008
179 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [Cooling과 Etch rate] [2] 23911
178 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [플라즈마 및 반응기 임피던스] [1] 22955
177 Dry Etcher 에 대한 교재 [플라즈마 식각 기술] [1] 22639
176 질문있습니다 교수님 [Deposition] [1] 22509
175 플라즈마 코팅 관하여 [PECVD와 화학물 코팅] 22159
174 펄스바이어스 스퍼터링 답변 22015
쓰기
태그

Boards

XE Login