Etch 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다.
2021.10.22 11:47
안녕하세요.
반도체 제조회사에 재직중인 엔지니어입니다.
텅스텐(W) Etch 을 하고자 하는데,
SF6를 Main Gas로 사용하고자 하는데,
SF6이외에 O2,N2,Ar 을 혼합하여 사용한 논문을 찾을 수 있었습니다.
텅스텐 하부에는 TiN Silicide Layer가 있는데
해당 TiN Silicide 에 Damage를 적게 주고 Loading Effect 가 적은 조건에서 Etch을 하면서
Etchrate 를 높이기 위해서는
SF6+N2 / SF6+Ar 중에 어떤 Gas 조건이 더 효과가 있는지 궁금합니다.
추가로 식각시 어떤 차이점이 있는지 알려주시면 감사하겠습니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] | 77156 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20437 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57340 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68884 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92910 |
124 | O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 | 1180 |
123 | Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] | 1196 |
122 | 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] | 1198 |
121 | ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] | 1205 |
120 | Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] | 1260 |
119 | [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] | 1316 |
118 | Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] | 1400 |
» | 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] | 1415 |
116 | 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] | 1428 |
115 | poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. | 1432 |
114 | Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] | 1446 |
113 | Ar plasma power/time [1] | 1449 |
112 | Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] | 1498 |
111 | PECVD 증착에서 etching 관계 [1] | 1539 |
110 | Pecvd 장비 공정 질문 [1] | 1686 |
109 | CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] | 1770 |
108 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1773 |
107 | wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] | 1828 |
106 | RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] | 1908 |
105 | PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] | 1943 |