Deposition 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다.
2019.05.22 16:11
안녕하세요. 반도체 회사에 근무중인 회사원 입니다.
다름이 아니고 PECVD로 박막 증착 시 Radical들의 움직임에 관해 궁금한 점이 있어서 글을 올립니다.
Radical이 Wafer위에서 migration후 반응하여 island를 만들고 그 섬들이 성장하여 박막을 형성하는 것으로 알고 있는데
Radical이 가지는 에너지, 기판의 온도, 기판을 이루는 물질과의 결합에너지 등을 통해 Radical이 기판위에서
평균적으로 얼마나 움직이는지, 어느 위치를 안정적인 site로 인식하고 반응하는지 등을 알 수 있을까요?
댓글 2
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [286] | 77309 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20506 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57415 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68958 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92990 |
» | 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] | 749 |
104 | 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] | 2060 |
103 | PECVD 증착에서 etching 관계 [1] | 1565 |
102 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1788 |
101 | 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] | 1444 |
100 | 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] | 2600 |
99 | [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] | 1327 |
98 | magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] | 479 |
97 | Pecvd 장비 공정 질문 [1] | 1709 |
96 | DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] | 2401 |
95 | 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] | 1208 |
94 | RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] | 861 |
93 | etching에 관한 질문입니다. [1] | 2313 |
92 | DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] | 5529 |
91 | Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] | 1454 |
90 | 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] | 2391 |
89 | Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] | 2369 |
88 | 플라즈마 색 관찰 [1] | 4370 |
87 | PR wafer seasoning [1] | 2720 |
86 | wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] | 1850 |