안녕하세요 교수님~

현재 연구실에서 플라즈마 에칭 장비에 대해 공부하고 있는 학생입니다.

다름이 아니라 이제까지 소형 챔버에서 에칭 실험을 진행하다가 대형 챔버로 바꾸어 실험하면서 궁금한 점이 생겨 질문드립니다.

1. 같은 압력에서 (예: 10mTorr) 유량 (sccm)만 바꿔가며 실험하고 있는데 이것이 어떤 관계가 있는지 궁금합니다.

2. 소형챔버에서 발견한 유량을 대형챔버로 그대로 옮겨버리면 residence time이 확줄어서 더 많은 sccm을 넣어야한다는데 

   PV/유량 = residence time 이라는 식에서 바라본다면 V가 증가하여 오히려 증가하는거 아닌가 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] 77219
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20468
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57362
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68902
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92950
» 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 2027
103 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 2044
102 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 2053
101 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2087
100 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2157
99 etching에 관한 질문입니다. [1] 2301
98 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2334
97 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2349
96 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2360
95 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2365
94 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2376
93 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2390
92 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2564
91 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2599
90 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2700
89 PR wafer seasoning [1] 2714
88 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2903
87 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2903
86 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2942
85 Plasma etcher particle 원인 [1] 3053

Boards


XE Login