Skip to content
플홈
오시는 길
누구
질문방
검색
전체
Plasma in general
DC glow discharge
Collision
Sheath
Ion/Electron Temperature
Others
Plasma Source
ATM Plasma
CCP
ICP
Remote Plasma
Water Discharge Plasma
Others
Chamber component
Matcher
ESC
Pulse operation
Shower head
Chamber Impedance
Others
Monitoring Method
OES
Langmuir Probe
VI(Impedance) Sensor
B dot
Others
Process
Etch
Deposition
Sputtering
Ashing
Others
Etch
Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate
2020.07.09 13:00
도리
조회 수:2303
안녕하세요 교수님
Etch시 센터와 사이드 etch rate이 다를 경우 어떤 공정 파라미터를 조절해야 하나요?
댓글
1
목록
번호
제목
조회 수
공지
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[279]
76984
공지
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
20333
공지
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
57256
공지
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
68802
공지
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
[3]
92799
104
PECVD Precursor 별 Arcing 원인
[1]
3352
103
M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다.
[1]
3175
102
Plasma 에칭 후 정전기 처리
[3]
3063
101
Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다.
[1]
3024
100
Plasma etcher particle 원인
[1]
3023
99
HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의
[1]
2923
98
HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요?
2892
97
[Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련]
[3]
2842
96
PR wafer seasoning
[1]
2707
95
RIE에 관한 질문이 있습니다.
[1]
2677
94
산소양이온의 금속 전극 충돌 현상
[1]
2591
93
[RIE] reactive, non-reactive ion의 역할
[1]
2522
92
DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다.
[1]
2368
91
Ta deposition시 DC Source Sputtreing
2363
90
Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련.
[1]
2352
89
플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다.
[1]
2350
88
sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지
[1]
2335
»
Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate
[1]
2303
86
etching에 관한 질문입니다.
[1]
2278
85
Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법
[1]
2110
Boards
Close Login Layer
XE Login
아이디
비밀번호
로그인 유지
회원가입
ID/PW 찾기
인증메일 재발송
Close Login Layer