Etch Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다.
2024.06.19 19:51
안녕하세요 저는 반도체회사에서 Dry Etch 공정 엔지니어로 근무중입니다.
Etch Profile을 Control하는 방법들을 연구하고있는데, 그 중에 Wafer내 영역별로 Capacitance 성분을 조절하여 Etch Profile을 Control 해보는 방법을 구상 중에 있습니다.
여기서 궁금한게, Capacitance 성분이 높은 영역은 Sheath Energy가 작아져 Etch 효율이 떨어질 것으로 생각했는데 제 생각이 맞을지 아니면 Capacitance 성분이 높아지면 해당 영역은 전하 축적량이 커져 Vdc값이 음의 방향으로 커져서 Sheath Energy가 커지는것이 맞을까요?
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [293] | 77380 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20520 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57454 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68986 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 93009 |
| 187 | 플라즈마내에서의 아킹 | 43731 |
| 186 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34993 |
| 185 | PEALD관련 질문 [1] | 32667 |
| 184 | RF에 대하여... | 32149 |
| 183 | RF Plasma(PECVD) 관련 질문드립니다. | 31714 |
| 182 | DC Bias Vs Self bias [5] | 31634 |
| 181 | [Sputter Forward,Reflect Power] [1] | 31190 |
| 180 |
[re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다.
 | 30163 |
| 179 | PECVD에서 플라즈마 damage가 발생 조건 | 29811 |
| 178 | OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] | 29004 |
| 177 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 24926 |
| 176 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] | 24727 |
| 175 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24228 |
| 174 | Arcing | 23897 |
| 173 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23808 |
| 172 | Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] | 22835 |
| 171 | Dry Etcher 에 대한 교재 [1] | 22570 |
| 170 | 질문있습니다 교수님 [1] | 22333 |
| 169 | 플라즈마 코팅에 관하여 | 22113 |
| 168 | 펄스바이어스 스퍼터링 답변 | 21974 |