kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
2009.11.17 16:06
안녕하세요. 전남대학교 정세훈이라고 합니다.
몇가지 궁금한점이 있어 질문드립니다
a) the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 500 eV.
b) the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 5000 eV
Cu원자의 에너지값이 어떻게되나요? 여러논문을 검색해보았는데
thompson distribution E/(E+Eb) 에 대해서는 나오는데.. 계산이 잘 안돼서요..
--------------------
위의 질문에 대한 참고 자료를 군산대학교 주정훈교수님께서 올려 주셨습니다. 그림과 같이 Kr 입자 조사에 의한 스퍼터링된 Cu의 에너지 및 이탈 속도 함수를 보여주고 있습니다. Ar과 조사 입자의 질량 차이가 있을 뿐 이를 고려한다면 거의 현상은 유사할 것으로 판단됩니다. 이 자료는 교재에 있다고 하니 참고하시기 바랍니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] | 76897 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20286 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57206 |
» | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68760 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92719 |
184 | 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] | 16 |
183 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 36 |
182 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 143 |
181 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 71 |
180 | 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] | 211 |
179 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 74 |
178 | Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] | 262 |
177 | FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 | 187 |
176 | AP plasma 공정 관련 문의 [1] | 208 |
175 | Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] | 226 |
174 | gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] | 271 |
173 | PECVD Uniformity [1] | 555 |
172 | center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 | 416 |
171 | center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] | 803 |
170 | RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] | 326 |
169 | RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] | 302 |
168 | remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] | 631 |
167 | GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] | 255 |
166 | Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] | 578 |
165 | 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] | 401 |