안녕하세요.

지난 서울대에서 기술교류회에 참석했던 성균관대학교 학생 중 한명인 가두현 이라고 합니다.

이제 막 반도체 공정에 대해 공부를 하고 있는 대학원생인데요.

etching시 Trench와 via를 어떻게 구분을 하는건지 궁금해서 글을 남깁니다.

trench와 via를 BEOL과 FEOL에서 따로 구분을 하는건지 헷갈리네요.

이상입니다. 수고하세요~

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] 77169
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20450
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57349
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68888
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92922
124 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1182
123 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1199
122 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1200
121 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1208
120 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1260
119 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1317
118 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1400
117 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1418
116 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1428
115 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1432
114 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1447
113 Ar plasma power/time [1] 1449
112 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1504
111 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1541
110 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1687
109 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1770
108 터보펌프 에러관련 [1] 1775
107 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1828
106 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1910
105 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1944

Boards


XE Login