.반도체회사에서 pecvd 담당하고 있는 초보인데요. 궁금한게 몇개 있어 물어보겠습니다.

1.  pecvd 증착 후 wafer edge에 많은 defect을 해결하는 방법 (center는 깨끗함, edge에만 defect이 수없이 많음)

2. pecvd deposition 중  reflected power가  팅기는 현상으로 인해 두께가 낮아지거나 높아지는 현상이 있나요? 있다면 해결방법 알려주세요.

3. 한번 공정할때 wafer가 5장이 들어가는데 최대한 두께가 균일하게 증착할 방법이 있을까요? 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 77091
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20397
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57306
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68849
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92861
104 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3360
103 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3177
102 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3066
101 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3035
100 Plasma etcher particle 원인 [1] 3028
99 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2927
98 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2896
97 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2862
96 PR wafer seasoning [1] 2707
95 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2681
94 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2592
93 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2537
92 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2375
91 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2363
90 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2358
89 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2353
88 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2338
87 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2310
86 etching에 관한 질문입니다. [1] 2286
85 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2121

Boards


XE Login