공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[282]
| 77208 |
공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
| 20465 |
공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
| 57361 |
공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
| 68900 |
공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
[3]
| 92946 |
104 |
PECVD Precursor 별 Arcing 원인
[1] | 3385 |
103 |
M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다.
[1] | 3199 |
102 |
Plasma 에칭 후 정전기 처리
[3] | 3072 |
101 |
Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다.
[1] | 3062 |
100 |
Plasma etcher particle 원인
[1] | 3052 |
99 |
HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의
[1] | 2942 |
98 |
HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요?
| 2903 |
97 |
[Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련]
[3] | 2902 |
96 |
PR wafer seasoning
[1] | 2713 |
95 |
RIE에 관한 질문이 있습니다.
[1] | 2699 |
94 |
산소양이온의 금속 전극 충돌 현상
[1] | 2599 |
93 |
[RIE] reactive, non-reactive ion의 역할
[1] | 2562 |
92 |
DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다.
[1] | 2388 |
91 |
플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다.
[1] | 2376 |
90 |
Ta deposition시 DC Source Sputtreing
| 2365 |
89 |
Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련.
[1] | 2360 |
88 |
sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지
[1] | 2349 |
87 |
Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate
[1] | 2330 |
86 |
etching에 관한 질문입니다.
[1] | 2301 |
85 |
Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법
[1] | 2155 |