Process Ta deposition시 DC Source Sputtreing

2022.11.19 05:11

TW 조회 수:2466

안녕하세요 

 

현재 반도체관련 회사에 재직중입니다. 

다름아니라  Ta material을 Deposition하는데 PVD에서는 DC Soruce sputtering을 이용해서 사용하는데 

RF source sputtering을 하게되면 어떤 단점이 있고 장점이 있을까요?

 

아님 Ta material에 대한 제한이 있는것 일까요? 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [330] 101881
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24461
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61121
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73154
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105317
154 기판표면 번개모양 불량발생 [Plasma charging] [1] 919
153 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [Etching] [1] 30012
152 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 937
» Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2466
150 sticking coefficient 관련 질문입니다. [HAR, LF bias] [1] 1402
149 RF Sputtering Target Issue [Sputtering] [2] file 1036
148 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [PECVD와 PACVD] [1] 2593
147 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time [TVP(Thorottle Valve Position)] [1] file 924
146 Polymer Temp Etch [이온 입사 에너지] [1] 1063
145 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 749
144 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [Self bias와 RIE] [1] 862
143 etch defect 관련 질문드립니다 [Plasma distribution] [1] 1536
142 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [Self bias] [1] 1416
141 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [CCP 방전 원리] [1] file 1307
140 doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2762
139 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [세정 시간 및 식각 효율] [1] 4526
138 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 3063
137 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [O2 plasma, ion sputtering] [1] 1622
136 Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리] [1] 4360
135 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [베르누이 정리] [1] 1541
쓰기
태그

Boards

XE Login