Process Ta deposition시 DC Source Sputtreing

2022.11.19 05:11

TW 조회 수:2363

안녕하세요 

 

현재 반도체관련 회사에 재직중입니다. 

다름아니라  Ta material을 Deposition하는데 PVD에서는 DC Soruce sputtering을 이용해서 사용하는데 

RF source sputtering을 하게되면 어떤 단점이 있고 장점이 있을까요?

 

아님 Ta material에 대한 제한이 있는것 일까요? 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 77116
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20410
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57321
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68861
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92882
104 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3364
103 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3179
102 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3066
101 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3036
100 Plasma etcher particle 원인 [1] 3032
99 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2927
98 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2896
97 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2866
96 PR wafer seasoning [1] 2707
95 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2681
94 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2592
93 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2538
92 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2377
91 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2363
» Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2363
89 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2354
88 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2338
87 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2315
86 etching에 관한 질문입니다. [1] 2287
85 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2127
쓰기
태그

Boards

XE Login