Etch center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2
2023.09.14 07:59
상세한 답변 정말 감사합니다!! 추가 질문이 있습니다.
1. 현업에서 스크레치와 같은 defect들은 대부분 edge에서 일어난다고 알고있습니다. 그렇다면 etch 공정 기술 엔지니어로서, edge의 수율을 높이는 방법에는 무엇이 있을까요?
저는 이 방법을 center to edge 균일도 제어로 생각해서 위와 같은 질문을 드렸는데, 여기서는 추가 부품을 사용하는 방법을 써야하므로 공정 레시피 측면에서 제어할 요소가 적다고 말씀하셔서 추가 질문 드립니다!
2. 양산 수율 달성 측면에서, 높은 aspect ratio로 인한 문제가 핵심인 것이 맞나요?
댓글 0
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] | 77139 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20426 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57335 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68874 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92897 |
| 184 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 48 |
| 183 | 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] | 60 |
| 182 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 77 |
| 181 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 78 |
| 180 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 160 |
| 179 |
화장품 원료의 플라즈마 처리 문의
[1]  | 193 |
| 178 | FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 | 197 |
| 177 | AP plasma 공정 관련 문의 [1] | 214 |
| 176 | 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] | 221 |
| 175 | Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] | 241 |
| 174 | Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] | 244 |
| 173 | GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] | 262 |
| 172 | gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] | 275 |
| 171 | Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] | 279 |
| 170 | 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] | 296 |
| 169 | RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] | 308 |
| 168 | RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] | 338 |
| 167 | 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] | 376 |
| 166 | RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] | 377 |
| 165 | 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] | 405 |