안녕하세요, 

반도체 장비 회사에 다니고 있는 엔지니어 입니다. 

 

저희 etch 설비(ICP TYPE)가 아래와 같이 Power 및 주파수를 사용하고 있는데

현 상태에서 주파수만 위 아래 변경하면 어떤 효과가 있을지... 궁금하여 질문 드립니다..

답변해 주시면 감사하겠습니다..

 

현) RF 100W(2Mhz), Bias 150W(13.56MHz) -> 변경) RF 100W(13.56Mhz), Bias 150W(2MHz)

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102593
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24653
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61347
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73428
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105730
194 III-V 반도체 에칭 공정 문의 [1] 547
193 Wafer 영역별 E/R 차이에 대한 질문 [Gas flow system vs E/R] [1] 562
192 ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다. [1] 476
191 HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [장비 플라즈마, Rate constant] [1] 446
190 Dielectric Etcher(CCP)에서 사용하는 주파수 [Plasma frequency 및 RF sheath] [2] 777
189 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해] [1] 483
188 RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다. 364
187 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 337
186 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length] [1] 451
185 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] 4905
184 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포] [1] 431
183 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [Sheath uniformity 이해] [1] 613
182 플라즈마 식각 커스핑 식각량 224
181 Sputtering을 이용한 film deposition [진공 및 오염입자의 최소화] [1] 529
180 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [Base pressure 이해] [1] 405
179 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [Ar, O2 플라즈마 생성 특성] [1] 590
» Etch Plasma 관련 문의 건.. [RF 주파수와 플라즈마 주파수] [1] 621
177 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 472
176 AP plasma 공정 관련 문의 [OES 활용 장비 플라즈마 데이터 분석] [1] 430
175 Cu migration 방지를 위한 스터디 [전자재료] [1] 589

Boards


XE Login