Etch 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해]

2024.07.16 16:22

주정아 조회 수:298

안녕하세요. 식각 공정 관련 업계에 종사하고 있는 주정아라고합니다.

 

SiON, Si3N4과 같이 Si,N 원소를 포함한 가스와 CHF3과 같은 H를 포함한 가스들이 반응했을 때,

 

특히 저온으로 갈수록 식각률이 증가하는 내용을 접했습니다.

 

그 원인에 대해 조사하고 싶은데, 검색해봐도 잘 나오지않아 조언을 구합니다.

 

고견주시면 감사하겠습니다.

 

좋은 하루 되세요.

 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [321] 86442
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 22669
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 59375
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 71133
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 98366
194 III-V 반도체 에칭 공정 문의 [1] 136
193 Wafer 영역별 E/R 차이에 대한 질문 [Gas flow system vs E/R] [1] 129
192 ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다. [1] 274
191 HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [장비 플라즈마, Rate constant] [1] 321
190 Dielectric Etcher(CCP)에서 사용하는 주파수 [Plasma frequency 및 RF sheath] [2] 395
» 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해] [1] 298
188 RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다. 214
187 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 205
186 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length] [1] 312
185 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] 4472
184 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포] [1] 259
183 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [Sheath uniformity 이해] [1] 268
182 플라즈마 식각 커스핑 식각량 112
181 Sputtering을 이용한 film deposition [진공 및 오염입자의 최소화] [1] 354
180 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [Base pressure 이해] [1] 237
179 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [Ar, O2 플라즈마 생성 특성] [1] 439
178 Etch Plasma 관련 문의 건.. [RF 주파수와 플라즈마 주파수] [1] 464
177 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 357
176 AP plasma 공정 관련 문의 [OES 활용 장비 플라즈마 데이터 분석] [1] 302
175 Cu migration 방지를 위한 스터디 [전자재료] [1] 431
쓰기
태그

Boards

XE Login