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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 72331
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194 III-V 반도체 에칭 공정 문의 [1] 350
193 Wafer 영역별 E/R 차이에 대한 질문 [Gas flow system vs E/R] [1] 314
192 ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다. [1] 405
191 HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [장비 플라즈마, Rate constant] [1] 402
190 Dielectric Etcher(CCP)에서 사용하는 주파수 [Plasma frequency 및 RF sheath] [2] 589
189 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해] [1] 396
188 RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다. 302
187 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 269
186 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length] [1] 383
185 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] 4709
184 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포] [1] 369
183 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [Sheath uniformity 이해] [1] 569
182 플라즈마 식각 커스핑 식각량 207
181 Sputtering을 이용한 film deposition [진공 및 오염입자의 최소화] [1] 453
180 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [Base pressure 이해] [1] 337
179 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [Ar, O2 플라즈마 생성 특성] [1] 516
178 Etch Plasma 관련 문의 건.. [RF 주파수와 플라즈마 주파수] [1] 549
177 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 417
176 AP plasma 공정 관련 문의 [OES 활용 장비 플라즈마 데이터 분석] [1] 384
175 Cu migration 방지를 위한 스터디 [전자재료] [1] 509

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