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공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[327]
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [박막 문제]
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PECVD Uniformity [플라즈마 균일도 제어]
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center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2
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171 |
center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [CCP 균일도, CCP edge]
[1] | 1313 |
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RIE Gas 질문 하나 드려도 될까요? [Sheath instability]
[1] | 592 |
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RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [RF matcher noise]
[1] | 547 |
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168 |
remote plasma를 이용한 SiO2 ethching 질문드립니다. [식각률 self limit과 쉬스 에너지 변화]
[1] | 995 |
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GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문
[1] | 925 |
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Plasma 표면 개질에 대해 질문드립니다. [O2 플라즈마와 Ar 플라즈마]
[1] | 4088 |
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애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [Materials processing]
[1] | 594 |
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화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [환경 플라즈마]
[1]  | 366 |
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163 |
Compressive한 Wafer에 대한 질문 [박막]
[1] | 418 |
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[재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [플라즈마 식각기술]
[1] | 939 |
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161 |
Ashing 공정에 필요한 O2plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [전자 충돌 이온화 반응 해리 반응 흡착 반응]
[1] | 2699 |
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메틸기의 플라즈마 에칭반응 메커니즘 [공정 플라즈마]
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RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메커니즘에 대해 질문하고 싶습니다. [플라즈마-화학-표면 반응 모델]
[1] | 578 |
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PEALD장비에 관해서 질문드리고 싶습니다. [장비 세정 및 관리 규칙]
[1] | 772 |
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ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [RF 접지 및 체결, 결합부분 교체]
[1] | 1070 |
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156 |
SI 표면에 Ar Plasma Etching 하면 안되는 이유 [표면 전처리]
[1] | 1691 |
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155 |
텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [Plasma Cleaning]
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