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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [Etch와 IEDF]
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Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time]
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전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [핵융합 연구소]
[1] | 758 |
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압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [MFC와 residence time]
[1] | 2492 |
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PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [하전에 의한 전기장 형성 및 방전 시간]
[1] | 4094 |
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ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [플라즈마 방전 및 이온 가속]
[1] | 1460 |
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HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요?
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PEALD관련 질문 [Passivation 막 증착 과정]
[1] | 32978 |
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Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다. [플라즈마 식각기술, Plasma Etching]
[3] | 1318 |
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기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다.
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104 |
식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [소자 식각 데미지]
[1] | 2425 |
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PECVD 증착에서 etching 관계 [PECVD 증착]
[1] | 2048 |
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터보펌프 에러관련 [터보 펌프 구동 압력]
[1] | 2007 |
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부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [라디컬의 화학반응성 및 DC 타깃 전극]
[1] | 1740 |
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산소 양이온의 금속 전극 충돌 현상 [플라즈마 표면 반응]
[1] | 2780 |
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[CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [수소의 확산과 쉬스에 의한 가속]
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magnetic substrate와 플라즈마 거동 [대면 재료의 전기적 특성와 플라즈마 쉬스의 변화]
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Pecvd장비 공정 질문 [Dusty plasma와 벽면 particle 제어]
[1] | 2017 |
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DRY Etcher Alarm : He Flow 관점 문의 드립니다. [O ring 결합부 근처 leak detect]
[1] | 2829 |
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챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [Chamber impedance와 공정 드리프트 진단 인자]
[1] | 1454 |
