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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 117288
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74 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 9155
73 Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [Depo radical 형성 및 sputtering] [1] 10961
72 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [물리적/화학적 세정] [4] 9026
71 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [Sheath 전기장 및 instability] [1] file 3068
70 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 2373
69 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [반응성 기체 생성] [1] 8224
68 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 7469
67 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [Sputtering 및 particle issue] [1] 6924
66 Ar plasma power/time [Self bias와 sputtering 효과] [1] 4123
65 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [공정 용법] [1] 21604
64 N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [쉬스 전위 및 플라즈마 세정] [1] 14734
63 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [표면 전위 생성 및 방전] [3] 5449
62 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [장치 구조에 따른 공간 분포] [2] 6773
61 DC스퍼터링과 RF 스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [플라즈마 생성과 Sputtering] [2] 6521
60 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [DC 글로우 방전 및 Breakdown] [1] 5878
59 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Depostion Rate 감소 현상 문의 [전자의 에너지와 중성입자와의 충돌] [1] 5087
58 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [플라즈마 밀도와 중성 가스의 균일도] [1] 10194
57 플라즈마 데미지에 관하여.. [Charge의 축적과 damage] [1] 8571
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55 안녕하세요, 질문드립니다. [플라즈마 토치와 환경처리] [2] 8941

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