Etch 플라즈마 샘플 위치 헷갈림

2022.06.07 20:57

플라즈마왕초보 조회 수:612

안녕하세요.

현재, 플라즈마 장비를 이용하여 표면구조 처리를 하고자 하는 대학원생 조원희입니다.

 

다름이 아니라, 플라즈마를 주로 전공하는 과 가 아니기 때문에, 현재 연구실에 있는 플라즈마 샘플 위치에 헷갈림이 좀 있습니다.

오래전 저희 연구실에서는 O2와 Ar을 이용하여, 표면을 친수성으로 만들거나 고분자에 Ar/O2를 혼합하여 etching을 하였었는데, 경험 하신분들이 다 졸업을 하시는 바람에, 여기에 도움을 청하게 됐습니다. 

제가 궁금한 점은,

 

1. O2만을 이용하여 표면을 친수성으로 만들때의 표면 위치와

2. Ar을 이용하여 etching을 할때의 표면 위치가 

 

두 경우에 다른지가 궁금합니다.

 

타겟으로 하는 표면을 각각의 경우에, 챔버 내부의 RF Power와 Matching box가 연결되어 있는 부분에 두어야 하는지, 그 반대에 두어야 하는지 혹시 도와주실 분이 계신가요..?

 

참고로 샘플은 PDMS (고분자) 입니다. 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76888
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20285
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57204
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68758
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92714
29 etching에 관한 질문입니다. [1] 2274
28 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2299
27 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2345
26 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2357
25 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2503
24 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2670
23 PR wafer seasoning [1] 2707
22 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2818
21 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2889
20 Plasma etcher particle 원인 [1] 3012
19 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3015
18 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3552
17 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3974
16 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4319
15 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5383
14 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5478
13 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5926
12 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6280
11 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6696
10 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9539
쓰기
태그

Boards

XE Login