Etch 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘
2023.05.19 12:58
안녕하세요. 화학공학과 재학중인 학부생입니다. si-(ch3)2기의 에칭을 한다고 할 때 제가 생각하는 메커니즘으로 에칭이 될 지 여쭤보고자 글 남깁니다.
plasma gas로는 cf4/o2를 사용한다고 할 때
SI(CH3)2 + 4F > SIF4(gas) + C2H6(gas)의 반응으로 에칭이 가능할까요?
또한 cf4에 o2, ar, chf3등을 추가적으로 사용해도 에칭이 문제없이 진행될 지, 이 경우에도 위와같은 반응으로 에칭이 될지 궁금합니다.
chf3도 에칭에 사용이되고, o2는 f라디칼의 생성을 증가시키며, ar의 경우 아르곤플라즈마의 생성으로 빠른 에칭을 야기시킨다고 알고있습니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 77113 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20408 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57319 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68860 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92879 |
9 | ICP와 CCP의 차이 [3] | 12554 |
8 | ICP 식각에 대하여... | 16932 |
7 | 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] | 17592 |
6 | RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 | 20441 |
5 | Dry Etcher 에 대한 교재 [1] | 22558 |
4 | Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] | 22787 |
3 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23781 |
2 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24201 |
1 | DC Bias Vs Self bias [5] | 31601 |