Etch SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유
2017.11.10 16:45
SiO2 를 RPSC를 이용하여 NF3로 Cleaning을 진행하는 일을 하고 있습니다.
NF3 단독으로 사용하는 것보다 O2를 혼합시 더 잘되는것으로 논문에서 보고 하고 있는데요,
그 원리 및 Mechanism이 궁금합니다.
학자님들의 고견 부탁 드립니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [286] | 77303 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20500 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57414 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68949 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92988 |
30 | HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? | 2909 |
29 | 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] | 2058 |
28 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1788 |
27 | DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] | 2399 |
26 | 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] | 1207 |
25 | RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] | 860 |
24 | etching에 관한 질문입니다. [1] | 2311 |
23 | DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] | 5523 |
22 | Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] | 2366 |
21 | PR wafer seasoning [1] | 2719 |
20 | wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] | 1849 |
19 | Plasma etcher particle 원인 [1] | 3077 |
» | SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] | 6032 |
17 | 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. | 1150 |
16 | ICP와 CCP의 차이 [3] | 12601 |
15 | RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] | 2704 |
14 | Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] | 3627 |
13 | RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] | 6333 |
12 | poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. | 1446 |
11 | SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] | 5499 |