Etch 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문
2024.02.23 10:50
안녕하세요,
먼저 연구개발에 좋은 창구를 열어주시고 관리해주셔서 항상 감사하게 생각하고 있습니다. 다시한번 감사드립니다.
제 질문은,
ICP 장비로 자성물질을 마이크로 단위로 두껍게 에칭하고 있습니다. 해당 장비는 공정 시간이 늘어남에따라 Cooling 시스템이 부족하여 중간 Idle time을 넣고 Cyclic하게 공정을 진행하고 있는데요.
여기서 궁금한게 중간마다 Idle time 을 넣고 idle time 시간을 늘리는게 Etching에 영향을 많이 줄까요?
Continuous 하게 Plasma가 켜질 경우에는 Physically sputtering + Chemical reaction 이 동시에 일어나면서 진행이 될텐데
반복적으로 Plasma가 꺼지고 Idle time이 있으면 반응 gas와 Chemically reaction 되어 표면에 Byproduct가 생기고 잔여되고 Cooling되면서 다시 이물질이 Etching mask역할을 해서 안좋아 질수도 있을 것 같아서요
해당관련해서 경험이 있으시면 답변 부탁드리겠습니다!
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] | 76895 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20286 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57205 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68758 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92718 |
9 | ICP와 CCP의 차이 [3] | 12538 |
8 | ICP 식각에 대하여... | 16927 |
7 | 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] | 17556 |
6 | RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 | 20437 |
5 | Dry Etcher 에 대한 교재 [1] | 22552 |
4 | Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] | 22781 |
3 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23779 |
2 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24190 |
1 | DC Bias Vs Self bias [5] | 31580 |