Etch RIE Gas 질문 하나 드려도될까요?

2023.08.30 08:55

윤성 조회 수:329

RIE(13.56Mhz) 설비 SET UP 도중 압력 0.2 Torr Gas SF6 30 Sccm 공정 조건에서 Matcher가 Matching position 을 잡지 못하고 흔들리는 현상으로 Matcher circuit에 Low pass filter 장착 후 그 현상이 사라 졌습니다.

위에 현상에 대한 정보가 부족 하지만 답변 주셔서 감사합니다.

 

특이사항이 CF4, Ar Gas 에서는 위에 현상이 나타나지않으며 SF6 가스에만 위에 현상이 나타나는건 Gas의 특성이라고 보면될까요? 

 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76901
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20295
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57212
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68764
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92723
69 DC Bias Vs Self bias [5] 31581
68 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24190
67 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23780
66 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] 22781
65 Dry Etcher 에 대한 교재 [1] 22553
64 RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 20437
63 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] 17558
62 ICP 식각에 대하여... 16928
61 ICP와 CCP의 차이 [3] 12538
60 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9540
59 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6707
58 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6284
57 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5929
56 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5485
55 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5388
54 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4319
53 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3975
52 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3552
51 Plasma etcher particle 원인 [1] 3018
50 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3017
쓰기
태그

Boards

XE Login