Etch center to edge 문제를 극복하기 위한 방법
2023.09.07 22:45
안녕하세요 etch 공정 기술 직무를 희망하는 취준생입니다.
다음은 center to edge uniformity 문제의 극복방안을 공부한 내용입니다.
CCP와 ICP의 플라즈마 모양이 다르므로 edge의 etch rate가 낮거나 높게된다. 이에 대한 대응책으로 중성 가스 분포 조절과 생성 플라즈마 밀도 조절 전략으로 나누어 보면 다음과 같다.
1. 적절한 nozzle 선택을 통해 가스의 유속 방향을 조절하거나, Edge ring을 사용하여 가장자리의 가스유속에 따른 식각 속도 증가문제를 완화하기 위해 적절한 전기전도도 부여
2. ICP의 안테나 구조를 변경하여 플라즈마의 밀도를 높이거나, standing wave문제를 해결하기 위해 공정 조건을 조절
+ ESC의 영역별 온도 조절
위와 같은 내용을 토대로, 극복방안이 대부분 장비의 parts를 추가하거나 선택하는 데에서 끝나므로, 공정 기술 엔지니어가 조절 가능한 인자가 무엇인지에 대한 의문이 생겼습니다. (공정 조건에 따른 ESC척의 온도 조절일까요?)
추가로 질문드리면, ARDE 현상, 보잉과 같은 공정 문제가 Edge에서 더 많이 일어난다고 이해해도 될까요? 즉, etch profile에 따른 ARDE, 보잉 문제를 해결하는 것이 궁극적으로 Edge의 수율을 높이는 데 활용될 수 있을까요?
긴 글 읽어주셔서 감사합니다.
댓글 1
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