Etch Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다.
2024.06.19 19:51
안녕하세요 저는 반도체회사에서 Dry Etch 공정 엔지니어로 근무중입니다.
Etch Profile을 Control하는 방법들을 연구하고있는데, 그 중에 Wafer내 영역별로 Capacitance 성분을 조절하여 Etch Profile을 Control 해보는 방법을 구상 중에 있습니다.
여기서 궁금한게, Capacitance 성분이 높은 영역은 Sheath Energy가 작아져 Etch 효율이 떨어질 것으로 생각했는데 제 생각이 맞을지 아니면 Capacitance 성분이 높아지면 해당 영역은 전하 축적량이 커져 Vdc값이 음의 방향으로 커져서 Sheath Energy가 커지는것이 맞을까요?
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [286] | 77307 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20505 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57415 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68953 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92989 |
| 10 | RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] | 347 |
| 9 | RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] | 320 |
| 8 | 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] | 309 |
| 7 | Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] | 300 |
| 6 | GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] | 268 |
| 5 | 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] | 241 |
| 4 | 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] | 102 |
| 3 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 90 |
| » | Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [1] | 82 |
| 1 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 64 |