Etch DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다.
2018.11.28 12:00
안녕하십니까
저는 DRY Etch 하부 정전척(ESC) 세정/재생 업체에 다니고 있는 최균호 라고 합니다.
고객사에 납품하여 Run중인 ESC에서 He Flow라는 알람이 자주 발생하여 문의 드립니다.
상부 Glass면과 ESC 사이에 Cooling을 위한 He Gas를 공급하는데
공급 과정 중 He Pressure의 이상이 있을 때 발생하는 것이 He Alaram 입니다.
He Flow 발생품 입고 검사 시 Glass를 안착시키는 Dam부 및 Cooling 면의 외관적인 문제점은 존재 하지 않고
전기적인 특성조차 큰 특이점을 찾아 볼 수 없습니다.
고객사 측에서도 뚜렷한 원인은 알 수 없다고 하네요.
Cooling Gas Flow (Gas Leak) 발생 원인이 대체로 무엇인지, 그에 따른 해결 방안을 가지고 계신다면
알려 주실 수 있을까요?
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] | 76895 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20286 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57205 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68758 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92719 |
29 | 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] | 2025 |
28 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1773 |
» | DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] | 2358 |
26 | 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] | 1195 |
25 | RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] | 854 |
24 | etching에 관한 질문입니다. [1] | 2274 |
23 | DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] | 5479 |
22 | Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] | 2345 |
21 | PR wafer seasoning [1] | 2707 |
20 | wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] | 1813 |
19 | Plasma etcher particle 원인 [1] | 3013 |
18 | SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] | 5927 |
17 | 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. | 1145 |
16 | ICP와 CCP의 차이 [3] | 12538 |
15 | RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] | 2671 |
14 | Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] | 3552 |
13 | RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] | 6281 |
12 | poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. | 1427 |
11 | SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] | 5384 |
10 | 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] | 17556 |