Etch RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [물리적/화학적 세정]

2017.01.17 17:27

블라디 조회 수:6505

안녕하세요.

 

RPS를 이용해 NF3와 CF4 Etch Rate 차이를 보고 싶은데..

Infra가 없어 부득이하게 연구 기관을 통해 Test 진행을 하려고 합니다.

근데 RPS에는 NF3 라인만 연결이 되어 있고 CF4의 경우 Chamber로 Direct 들어가게 되어있는데요.

Chamber내 Plasma Power 및 다른 parameter를 조절해 RPS 같이 구현이 가능할까요?

제가 알기로는 Remote와 Direct Plasma는 주파수 자체가 달라서 힘들거 같은데요.

 

미리 답변 감사합니다.

수고하세요.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [313] 80059
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21455
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58244
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69837
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 94885
35 SI 표면에 Ar Plasma Etching 하면 안되는 이유 [표면 전처리] [1] 1319
34 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [Chamber impedance와 공정 드리프트 진단 인자] [1] 1279
33 etch defect 관련 질문드립니다 [Plasma distribution] [1] 1274
32 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1248
31 Vacuum chamber(Etching)내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계 [Plasma bulk Temp와 wall Temp] [2] 1237
30 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [Self bias] [1] 1198
29 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1194
28 sticking coefficient 관련 질문입니다. [HAR, LF bias] [1] 1151
27 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [CCP 균일도, CCP edge] [1] 1026
26 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해보고 싶습니다. [플라즈마 가속 전자의 충돌 반응] [1] 918
25 Polymer Temp Etch [이온 입사 에너지] [1] 844
24 remote plasma를 이용한 SiO2 ethching 질문드립니다. [식각률 self limit과 쉬스 에너지 변화] [1] 824
23 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [플라즈마 식각기술] [1] 760
22 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [RF 접지 및 체결, 결합부분 교체] [1] 742
21 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time [TVP(Thorottle Valve Position)] [1] file 705
20 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [Self bias와 RIE] [1] 672
19 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 617
18 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 561
17 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 494
16 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [Materials processing] [1] 470
쓰기
태그

Boards

XE Login