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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68835
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92836
69 DC Bias Vs Self bias [5] 31597
68 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24200
67 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23781
66 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] 22786
65 Dry Etcher 에 대한 교재 [1] 22555
64 RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 20441
63 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] 17581
62 ICP 식각에 대하여... 16931
61 ICP와 CCP의 차이 [3] 12550
60 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9545
59 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6750
58 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6295
57 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5967
56 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5499
55 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5414
54 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4323
53 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3980
52 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3576
51 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3032
50 Plasma etcher particle 원인 [1] 3028
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