안녕하세요. 반도체 장비업체에서 근무하는 권보경입니다.

 

icp descum 장비에서 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상이 발생합니다.

Etch Rate이 감소하는 것은 있을 수 있는 일이지만 50% 이하로 나빠진 상태입니다.

어떤 변수들이 있을 수 있는지, 하드웨어 적으로는 어떤 점을 개선해야 하는지 궁금합니다.

 

또한 다른 site에 있는 동일 장비에서는 같은 조건에서 Er이 크게 떨어지지 않는데

source power의 차이로 인한 열전달효율이 크게 다르기 때문이라고 볼 수 있는지요.

맞다면 이에 해당하는 공식이 무엇인지 알고 싶습니다.

 

답변 해주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [335] 104030
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24760
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61681
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73582
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 106140
36 Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution] [1] 2821
35 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [Matcher와 dynamic impedance] [1] 1796
34 Plasma etch 관련 질문이 드립니다. [Sheath와 uniformity] [1] 1856
33 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [Bias power] [1] 8358
32 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time] [1] 3775
31 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [MFC와 residence time] [1] 2620
30 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 3228
29 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [소자 식각 데미지] [1] 2550
28 터보펌프 에러관련 [터보 펌프 구동 압력] [1] 2075
27 DRY Etcher Alarm : He Flow 관점 문의 드립니다. [O ring 결합부 근처 leak detect] [1] 2927
26 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [Chamber impedance와 공정 드리프트 진단 인자] [1] 1504
25 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해보고 싶습니다. [플라즈마 가속 전자의 충돌 반응] [1] 1152
24 etching에 관한 질문입니다. [충돌 현상 및 이온화 과정] [1] 2718
23 DRAM과 NAND 에칭 공정의 차이 ["플라즈마 식각 기술"] [1] 5959
22 Etch 공정(PE mode) Vpp 변동 관련. [Self bias 형성 과정과 전자의 에너지] [1] 2758
21 PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning] [1] 2942
» wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias] [1] 2288
19 Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath] [1] 3656
18 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [ER과 energy transport] [1] file 7058
17 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1307

Boards


XE Login